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造成DRAM市场“三足鼎立”的原因

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造成DRAM市场“三足鼎立”的原因

一、技术难度高、研发周期长、投入大

存储器产品有自身的特点,它的设计投入非常大,同时研发周期也很长,当然它的成本和售价也不低。DRAM芯片的研发难度很高,是典型的尖端科技产品。DRAM的技术难度在于随着半导体制程的减小,电容器会受到直接穿隧电流的因素而难以微缩,且电容值也难增加。有专家预测,15nm是接近DRAM的物理极限,未来若想缩小线宽,只得开发新的材质。
二、市场和工艺的更新周期太快
市场对DRAM芯片的需求也不是一成不变,从电脑到手机,再到汽车、消费电子,再到智能产品等,DRAM市场的变化也让中小企业步步为难。DRAM芯片从70nm到16nm,再到10nm等,由于薄膜厚度无法继续缩减,靠缩减尺寸很难提升性价比,工艺上的创新才是当前进步的关键。
三、跨不过的“专利坑”
对于初创企业而言,专利一直是半导体领域越不过的坎。美光半导体和福建晋华就因为专利问题,双方弄得不愉快。据悉,美光的多款自有品牌产品涉嫌侵害晋华专利,包含2TB 、500GB 的固态硬盘和相关侵权芯片。
四、独有工厂是这个市场的特点
三星、海力士和美光三家企业均拥有自己的DRAM内存芯片工厂,它们拥有自己的工艺。而对于很多中小型DRAM企业,没有工厂,很难保证产品良率和性价比。如三星每个月是350万片,假设投片没有大幅度增加,则必须要靠工艺来维持年成长,SK海力士和美光的工艺工厂也均有自己的优势。国内近年来也有很多企业建厂,但都是小批量,很难保证大产能的DRAM芯片的良率。

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